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美国再禁运6项关键技术,含光刻技术!

编辑/2020-10-31/ 分类:宇明说事/阅读:
近日美国商务部工业安全局(BIS)宣布将六项新兴技术添加到《出口管理条例》(EAR)的商务部管制清单(CCL)中。 据了解,目前受到出口管制的新兴技术总数已经达到了37项。美国商务部在官网发布公告中写道:此举是为了支持关键及新兴技术这一国家战略。 关键 ...

近日美国商务部工业安全局(BIS)宣布将六项新兴技术添加到《出口管理条例》(EAR)的商务部管制清单(CCL)中。

据了解,目前受到出口管制的新兴技术总数已经达到了37项。美国商务部在官网发布公告中写道:“此举是为了支持关键及新兴技术这一国家战略”。

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“关键技术和新兴技术国家战略是保护美国国家安全,确保美国在军事、情报和经济事务中保持技术领先地位的重要战略部署。”美国商务部部长Wilbur Ross说道,并表示“美国商务部已经对30多种新兴技术的出口实施了管控,我们将继续评估和确定未来还有哪些技术需要管控。”

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票选“对美国国家安全起到至关重要的作用”的6大技术出炉

公告指出。最新的商业出口管制是依照2019 年 12 月全体大会上达成的协议——《常规军备和两用物品及技术出口管制瓦森纳协议》实施的。制定和实施对新兴技术的多边控制符合《2018年出口控制改革法案》(ECRA)的要求后,最终确定管控下列几项新兴和基础性技术的出口将对美国国家安全起到至关重要的作用。

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本次被增列商业管制清单的六项新兴技术为:

混合增材制造/计算机数控工具; 特定的计算光刻软件; 用于为5nm生产精加工晶圆的某些技术; 有限的数字取证分析工具; 用于监测电信服务通信的某些软件 亚轨道航天器

美国实施出口管制的六大技术,都与芯片制造中最重要的设备光刻机息息相关,尤其是当下5nm芯片已成为高端芯片时代的主流产品,EUV光刻机在半导体制程的重要意义可想而知。

“用于制造极紫外线掩模的计算光刻技术软件”涵盖EUV光刻所需的特定软件,包括与三维(3D)效应、掩模阴影效应、光照方向效应、远距离眩光效应、邻近效应、抗蚀剂中的随机性效应以及源掩模优化有关的软件,这类软件是在晶圆上做出经过优化的光刻胶图案必需的软件;而“用于为 5nm 生产精加工芯片的技术”旨在应用于面向5nm生产的晶圆,包括对直径300 mm的硅晶圆进行切片、打磨和抛光以达到某些标准所需要的技术,以及尽量减小平坦度(或SFQR)和表面缺陷的技术以及局部光散射体(LLS)。以上两类技术都受到国家安全和反恐管制的约束。

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